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暗流ウエハー市場は強者が生存している  (2017/12/8 12:49:32)

暗流ウエハー市場は強者が生存している

作者:時間:2017-12-07来源:OFweek電子工学網
編者付記:現在ウエハーOEM市場三強分立、Intel、サムスン、台灣の電気も積極的に準備中。中国市場もこれらのボスの兵家争の地で、中国市場を持ったが全世界を持つ。ウエハ市場の暗流に胸に、天下分け目まだ分からない。

  市販の使用のチップ大多数はただ10 nmプロセスで、小さいのプロセスの中で、すでにまた1番腥风血雨を巻き起こした。プロセスは絶えずさから、伝統的なリソグラフィ技術はもう限界に達して、解決できないより精密な露出ブラウンの需要は、転用保障短EUV(極紫外リソグラフィ)、正確に記録が電気回路図。


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  そして次世代ウエハーOEMの中で、7nm制程台電気が勝つ見込み積。そして今年の売上高を超え、サムスンに、台灣を電気7nmプロセスについて言うとムーアの法則に失効した声で、これも元の半導体制程覇者級の存在もインテルをじっと坐っていられなかった。

  ウエハ分野激流勇進

  今年きゅう、く月じゅうく日静寂の長い間の北京で行われたIntel場関係プロセス技術やウエハーOEMの展示活動をしようとするデータ、外部に証明の半導体で分野で、誰が本当にの王者。甚だしきに至ってはゲストの講演のPPTで現れた台灣電気やサムスンの名前、昔ではとても珍しいですが、これも証明してまた両社はもう十分な脅威感Intel。


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  につれてAI、大データ、IoTなど応用製品の爆発的に発展して、先進的な技術でチップの需要量も増加し、今は世界市場が提供する先進プロセスのウエハー工場糠の中で米粒探す、主にIntel、サムスン、台灣電気を代表して、そして先進技術のOEM利益率も相当なものですのでこの3人のプレイヤーが明らかに、この領域に簡単にされません。

  は主流先進プロセスの競争にとって、2017年の上半期、台灣電力10 nmから思う存分成長し、きゅう、く月じゅういち日台積公式サイトで発表と手を組むのARM社、電気Xilinxなどの会社に基づいて発表し、世界初7nm工芸のチップを2018年に正式に量産。そして台媒報道によると、台灣は電気の5 nm 2019年ごとにリスクを試作段階。

  細かいところあやめにかきつばた

  そして5 nm以下の制程、EUVは必須ツール、サムスン7nm来年の生産は、率先して採用EUV、これもサムスンが早く適応EUV見通しの加速発展速度。比較では、台灣の電気の初代7nmプロセスは依然として伝統の浸潤式微をする影技術、第2世代の使用EUV神様。


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  サムスン電子表示以外にも、2017年に行われ8nmLPP(Lowパワー?ライン?コミュニケーション?システムコーラプラス低消費電力の強化版)プロセスをリスク試作のほか、は2018年に発売し7nm、またサムスンは2019年ご、続々と発売さ6nm制程で、2020年には操業を開始し4nm導入に囲まれて式ブレーキ級アーキテクチャ。

  今、台灣から率先して電気7nm生産先人の一歩が、サムスン準備早めに使用EUV技術、続きが誰をリードして、まだ分からない。一方、AMD今年出しのRyzenプロセッサは、グロ方德使用する14nm LPP工芸。

  だから今は、Intelの立場は群狼環飼、すべての競争相手になって。しかしこのような状況に直面し、Intelも当時の大会で出したPTTによると、現在、Intelの10 nmプロセスは、台灣を引き離してサムスン電気。

  は10 nmプロセスを例にして、インテル製品の最小格子ピッチ70nmから縮小から54nm、しかも最小間隔から縮小から36nm 52nm金属。サイズの縮小によって論理トランジスタ密度に達することができて毎平方ミリメートル1.008億個のトランジスタは、前にIntel14nmプロセスの2 . 7倍で、約10 nmプロセスの業界の他に倍。

  によると、Intelによると、2015年ななしちセットEUVシステム、今じゅうよんセットのうち、それぞれはちセットNXE3300BシステムとろくセットNXE3350Bシステム。しかし現在もIntelは、まだないEUV導入レジスト。

  握ろは挑戦しない

  しかし、この間、Intel、台灣の電気とサムスンは購入したASML生産の最大27台の3400Bステッパー、知ってASML生産のEUV3400Bステッパー単台の価格を超えていち億ユーロ、この中から注文最多はIntelは、明らかにIntelは表面上それか穏やかにこの新しい技術は非常に気に入った。


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  EUV極紫外リソグラフィ機(图源:AMSL)

  しかしプロセスは必要とさEUV以外にも、開発が必要FinFET(Fin Field-Effect Transistor鰭式電界効果トランジスタ)技術の後継者。トランジスタ動作でブレーキ級(gate)電流を通して制御できるかどうかが、チップ増す小電流チャネル幅も狭くなって、を制御できない電流方向、未来FinFETおそらく使用が足りないので、今多くの人はGAAFET(Gate-all-around FETゲート電界効果トランジスタ級全環はベストソリューション。

  今年はちょっと早いの時、サムスン、格芯とIBMと連携し、共同発表した世界初公開の5 nm技術を採用しEUVウエハー、技術やGAAFET制作。サムスンの予想では使いにくいことFinFET 5 nmの後、4nmが採用GAAFET。

  争の地で、中国市場

  技術がある以上は、その自然に相応の買い手が必要である。現在のところ、中国市場はすでに各大きいチップ大手やウエハーOEM大手が最も重視する市場。

  外国メディアの報道によると、世界のトップをウエハーOEM市場規模は絶えず上昇して、2016年に230億ドル、その中国からの消费がそのうち58 . 5%が、中国のウエハー工場だけが世界の25%。そのため、すべてのメーカーが中国の膨大な市場の商機を見ている。

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  世界によってチップ機器業界協会の試算では、今年の中国でウエハーOEM分野の全体から支出は2016年の35億ドルの増加2017年の54億ドル、まるまる54%上昇、2018年までに、協会は、この数字はさらに成長から84億ドル。

  これも意識を占めたIntelは、中国市場には、それが可能なこの対決に勝つため、Intelも加速しました中国での稼動速度。Intelににとって、現在は肝心な時、Intelは、OEM事業加身と中国のパートナーの、に基づく14nmと22FFLのFinFET帯中国市場。

  Intelの協力の国内メーカー、展讯は一つ。現在展讯のSC9861G-IAとSC9853I移動AP皆使用Intelの14nm低消費電力のプラットフォームで制造し、この2種類の移動AP12017年さん月とはち月に発売するとともに、Intel Airmont CPUアーキテクチャを使用した。

  でも現在より多くの顧客を台灣には電気を含むクアルコム、リンゴ、ファーウェイ海思、NVIDIAや联发科など。そして台灣と電気も最近は3nm工芸ウエハの動向は、台灣の創始者は台灣张忠谋電気電気は2020年建設2 nmウエハー工場、そしてこの工場は設立台灣地区。

  これまでの見通しによって、3nmウエハー工場建設予定かかる見込み200億ドル、牽引台南地区の経済発展が、2020年の建設が始まって、おそらく最も早期の生産も2023年まで、つまりご年以内に私たちは会いにくい台積電気の3nm工芸プロセッサ。

  小節

  総体的には、現在ウエハーOEM市場の中で現れた三強分立の局面、Intel、サムスン、台灣の電気も積極的に準備中、それぞれのプレイヤーも早めにを小さくナノプロセス技術、良い多くの市場シェアを占めて。中国市場もこれらのボスの兵家争の地で、中国市場を持ったが全世界を持つ。ウエハ市場の暗流に胸に、天下分け目まだ分からない。

 
 
 

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