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国産64階の3 Dフラッシュメモリの量産がスピードアップし、ファーウェイが直面している断供給リスクに対応する。  (2019/6/10 10:57:57)
国産64階の3 Dフラッシュメモリの量産がスピードアップし、ファーウェイが直面している断供給リスクに対応する。
2019-06-06タグ:記憶素子と製造元:高速科学技術

アメリカ商務部に制裁されたため、ファーウェイのサプライチェーンは供給停止のリスクに直面しています。特にアメリカ会社のチップとソフトウェアは、CPU、無線周波数、ネットワークチップの他に、ファーウェイのフラッシュメモリチップも圧力を受けています。スマートフォン、サーバ、基地局などの製品に多くのNANDフラッシュメモリが使われます。

 


現在、世界のNANDフラッシュメモリは主に三星、東芝、西数、SK Hynix、美光、Intelなど六つの会社の中で掌握されています。その中で、美光、Intel、西数はアメリカ会社ですが、NANDフラッシュは世界の比率が比較的小さいです。主なフラッシュの供給はサムスン、東芝、SK Hynixです。ファーウェイのNANDフラッシュメモリの供給にはリスクがありません。



しかし、極端な事態に対応するために、ファーウェイは国内の長江に対して、64層のスタックを前倒しした3 D TLCフラッシュメモリの保存を求めているということです。不時の需要に備えていますが、長江の記憶はまだ確認されていません。

 


NANDフラッシュ?メモリの分野で国内投入力が一番大きいのは長江メモリで、2016年には武漢で240億ドルを出資して国産NANDメモリ?チップ?ベースを建設し、昨年から32層のスタックを少量生産する3 Dフラッシュ?メモリを始めました。今年末には64層の3 Dフラッシュ?メモリの量産に投入する予定です。その中で、リスク試産は第3四半期に開始する予定で、現在の良率は著しく上昇しています。

 


ファーウェイ事件の発生により、長江に保存されているフラッシュメモリの量産計画が前倒しになる可能性があります。国内企業にとってもチャンスです。

 


長江が保管する前の情報によると、64階建てのスタックは今明2年生産の主力で、次の世代は直接128階建てのスタックに入り、サムスン、美光、東芝、Intelなどの会社が現在力を入れて押している96階建てのスタックフラッシュメモリを飛ばしています。これらの会社は2020年に128階建てのフラッシュメモリを発売する予定です。

 


フラッシュ?メモリ技術については、昨年長江がXtacking構造を導入した3 D NANDフラッシュ?メモリ技術を記憶しており、3 D NANDフラッシュ?メモリに未曽有のI/O高性能、より高い記憶密度、より短い製品の発売サイクルをもたらす。今年8月にXtacking 2.0のフラッシュ?メモリ技術が発売されますが、Xtackingは依然として進化しています。

 
 
 

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